日前，NXP半导体宣布其位于亚利桑那州钱德勒市的6英寸RF-GaN晶圆厂开幕，该晶圆厂是美国的5G射频功率放大器晶圆厂之一。

结合NXP在射频功率和量产方面的知识，新的工厂支持工业、航空和国防市场5G基站和先进通信基础设施的扩展。

此次虚拟开幕式包括了NXP高管演讲以及亚利桑那州政府官员、美国商务部副部长以及荷兰驻美国大使。

“今天是NXP的一个重要里程碑，”NXP CEO Kurt Sievers在主题演讲中说。“通过在亚利桑那州建设这一设施并培养关键人才，我们能够将重点放在GaN技术上，作为推动下一代5G基站基础设施的一部分。”

NXP指出，随着5G技术的发展，每个天线所需的射频解决方案密度呈指数级增长，但必须保持相同的尺寸并降低功耗。为了解决这些冲突，GaN功率晶体管出现，因为他们在功率密度和效率方面都提供了显著的改进。

NXP认为，近20年的GaN开发经验和无线通信行业的知识，使其在5G网络市场扩张中处于有利地位。该公司表示，他们已经优化了GaN技术，以改善半导体中的电子俘获，提供高效率和同类产品中线性度的增益。

“功率放大器在无线电技术中扮演着重要的角色，”Development Unit Networks负责人Joakim Sorelius说道，“与爱立信近在美国的投资类似，我们很高兴看到NXP在美国半导体工艺方面的投资，并持续专注于提高射频系统的性能，以适应未来高要求的无线网络。”

NXP表示，其建立内部GaN工厂的战略举措，是由于其能够利用其在蜂窝网络基础设施设计方面的竞争力、其在量产制造方面的记录和质量流程的一致性，从而实现更高的性能效益。

“新设施凸显了恩智浦数十年来对GaN和通信基础设施市场的承诺，”NXP射频功率执行副总裁兼总经理Paul Hart说，新RF GaN工厂“已经准备好扩大到6英寸甚至更高水平”。

NXP凭借其以钱德勒市工厂为基础的团队和其在复合半导体制造方面的长期专长，该工厂将迅速发展。

亚利桑那州州长Doug Ducey表示:“在钱德勒新建的制造工厂，将扩大亚利桑那州作为高科技制造中心和5G创新先锋的声望。”

工厂将作为创新中心，促进工厂和NXP的现场研发团队之间的合作。据估计，NXP工程师现在可以更快地开发、验证和保护当前和未来几代GaN器件的发明，从而缩短NXP GaN创新的周期时间。

新建的GaN工厂现已具备资质，首批产品已进入市场，预计将于2020年底达到满负荷生产。

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